MD picts溫度依賴型壽命測試系統      

MD picts溫度依賴型壽命測試系統可對材料電學特性進行非接觸、無損傷的單點測量。總體而言，MD-PICTS設備適用于多種材料及不同制備階段的測量，涵蓋硅原料、裸片、各類中間制備階段樣品，以及砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物半導體。該系統可檢測電阻率高于 0.3 Ω cm的單晶硅與多晶硅，重要聚焦缺陷、少子壽命及光電導的溫度依賴型測量，同時可檢測硅中的污染物及電活性晶體中的缺陷，具備微波光電導衰減瞬態（μPCD）和穩態（MDP）測量功能。

碲鎘汞｜碳化硅 | 化合物半導體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more 

重點優勢： 

1）賦能材料缺陷根源分析：無損傷、高靈活、高精度

2）采用斯特林制冷器(Stirling refrigerator)冷卻，無需操作液氮

3）針對各類材料的定制化激光與光學集成方案

4）全自動溫度依賴型測量

5）MDpicts可覆蓋幾乎所有半導體材料的電學特性表征

技術規格：   

應用案例： 

光電導測量與陷阱態分析

弗萊貝格儀器（Freiberg Instruments）的MDPmap與MDpicts系統，配備355 nm激光器（適配瞬態微波光電導衰減法μ-PCD）或375 nm激光二極管（適配穩態微波光電導法MDP），適用于寬帶隙氮化物半導體的光電導測量與陷阱態分析。n 型摻雜的均勻性可通過光電導信號（信號強度）進行分析，該信號與材料的電阻率及載流子壽命密切相關。

微波探測光致電流瞬態譜（MD-PICTS）

在半導體缺陷研究中，溫度依賴型方法的應用極為普遍，例如深能級瞬態譜（DLTS）。

碳化硅（SiC）的少子壽命測量

近年來，碳化硅（SiC）材料的質量已取得很大的進步，因此在大功率器件等應用場景中，碳化硅正日益成為硅（Si）材料的有力競爭者。作為寬帶隙半導體，SiC相較于硅具有諸多優勢。少子壽命是影響半導體器件性能的重要參數之一，尤其對于SiC在高壓器件中的應用而言至關重要。因此，有必要通過壽命工程優化，使特定器件實現強大性能。為了以高良率制造碳化硅器件，不僅需要高分辨率的材料表征技術，還需借助相關方法探究SiC中的缺陷根源，從而進一步提升材料質量。