一本之道久久无上码I三级精品免费I538国产精品Igav久久精品I欧美日韩综合I欧美疯狂做受XXXXX高潮-欧美亚洲国产I波多野结衣vaI国产精品野外久久久Iaaaaaaaaa片I欧美老熟妇又粗又大I东京热久久精品二区I奇米四季8888

產(chǎn)品中心

PRODUCTS CENTER

當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心少子壽命測試儀(MDP)MDpicts pro 原位變溫缺陷能級(jí)表征系統(tǒng)MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀
產(chǎn)品簡介

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀,系統(tǒng)能夠適用于各種不同材料和制備階段的測量,范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段,再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體,可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2026-03-16
廠商性質(zhì):代理商
訪問量:9
詳細(xì)介紹在線留言

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀       

 

用于生產(chǎn)和研究實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用的MDpicts pro(高分辨率變溫少子壽命測試儀系統(tǒng))。全自動(dòng)設(shè)備,以非接觸、無破壞方式繪制材料的電輸運(yùn)特性。一般來說,MDpicts pro系統(tǒng)能夠適用于各種不同材料和制備階段的測量,范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段,再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體,可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。重點(diǎn)是缺陷再發(fā)射、少數(shù)載流子壽命以及光電導(dǎo)率的溫度相關(guān)測量。研究污染物和電活性晶體缺陷。

 

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀材料: 

MDpicts pro 能夠?qū)缀跛邪雽?dǎo)體進(jìn)行電學(xué)表征 

碲鎘汞|碳化硅 | 化合物半導(dǎo)體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more

 

重點(diǎn)優(yōu)勢: 

1)從窄禁帶材料到寬禁帶材料的全覆蓋測試

2)實(shí)現(xiàn)材料缺陷的根本原因分析:無損、靈活且精確

3)空間分辨率高

4)同時(shí)具備瞬態(tài)μPCD和穩(wěn)態(tài)MDP測量

5)可定制激光與光學(xué)集成方案,適配各類材料需求

6)原位新型低溫恒溫測試系統(tǒng),

7)支持4英寸樣品測試 

 

技術(shù)規(guī)格:  

 

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀

  

應(yīng)用案例: 

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀

 

光束誘導(dǎo)電流(LBIC) 

該過程基于對(duì)太陽能電池中局部電流(Isc)的測量,該電流通過激光誘導(dǎo)的方式產(chǎn)生 

 

微波探測光致電流瞬態(tài)譜(MD-PICTS) 

為研究半導(dǎo)體中的缺陷,溫度依賴型方法(類似深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS))已被廣泛應(yīng)用。 

 

磷化銦(InP)中缺陷能級(jí)的研究 

微波探測光致電流瞬態(tài)譜(MD-PICTS)是研究磷化銦(InP)中缺陷能級(jí)的理想方法。例如,對(duì)磷化銦的研究表明,退火過程中材料的缺陷含量會(huì)發(fā)生變化……

在線留言

留言框

  • 產(chǎn)品:

  • 您的單位:

  • 您的姓名:

  • 聯(lián)系電話:

  • 常用郵箱:

  • 省份:

  • 詳細(xì)地址:

  • 補(bǔ)充說明:

  • 驗(yàn)證碼:

    請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果(填寫阿拉伯?dāng)?shù)字),如:三加四=7

掃一掃,關(guān)注公眾號(hào)

服務(wù)電話:

021-34685181 上海市松江區(qū)千帆路288弄G60科創(chuàng)云廊3號(hào)樓602室 wei.zhu@shuyunsh.com
Copyright © 2026束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司 All Rights Reserved  備案號(hào):滬ICP備17028678號(hào)-2