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少子壽命測試儀(MDP)
MDpicts pro 原位變溫缺陷能級(jí)表征系統(tǒng)
MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀

產(chǎn)品簡介
MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀
用于生產(chǎn)和研究實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用的MDpicts pro(高分辨率變溫少子壽命測試儀系統(tǒng))。全自動(dòng)設(shè)備,以非接觸、無破壞方式繪制材料的電輸運(yùn)特性。一般來說,MDpicts pro系統(tǒng)能夠適用于各種不同材料和制備階段的測量,范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段,再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體,可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。重點(diǎn)是缺陷再發(fā)射、少數(shù)載流子壽命以及光電導(dǎo)率的溫度相關(guān)測量。研究污染物和電活性晶體缺陷。
MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀材料:
MDpicts pro 能夠?qū)缀跛邪雽?dǎo)體進(jìn)行電學(xué)表征
碲鎘汞|碳化硅 | 化合物半導(dǎo)體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層
[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ] and more
重點(diǎn)優(yōu)勢:
1)從窄禁帶材料到寬禁帶材料的全覆蓋測試
2)實(shí)現(xiàn)材料缺陷的根本原因分析:無損、靈活且精確
3)空間分辨率高
4)同時(shí)具備瞬態(tài)μPCD和穩(wěn)態(tài)MDP測量
5)可定制激光與光學(xué)集成方案,適配各類材料需求
6)原位新型低溫恒溫測試系統(tǒng),
7)支持4英寸樣品測試
技術(shù)規(guī)格:

應(yīng)用案例:

光束誘導(dǎo)電流(LBIC)
該過程基于對(duì)太陽能電池中局部電流(Isc)的測量,該電流通過激光誘導(dǎo)的方式產(chǎn)生
微波探測光致電流瞬態(tài)譜(MD-PICTS)
為研究半導(dǎo)體中的缺陷,溫度依賴型方法(類似深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS))已被廣泛應(yīng)用。
磷化銦(InP)中缺陷能級(jí)的研究
微波探測光致電流瞬態(tài)譜(MD-PICTS)是研究磷化銦(InP)中缺陷能級(jí)的理想方法。例如,對(duì)磷化銦的研究表明,退火過程中材料的缺陷含量會(huì)發(fā)生變化……
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